技術(shù)編號：12788079
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導體器件的制造方法。背景技術(shù)在半導體制造工藝中，所形成的淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)的性能對于最后形成的半導體器件的性能和良率而言至關(guān)重要。現(xiàn)有的淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下幾個主要步驟：如圖1A-1B所示，首先，在半導體襯底100上形成緩沖層101和硬掩膜層(SiN)102，圖案化緩沖層和硬掩膜層，刻蝕半導體襯底形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)的開口，再沉積淺溝槽隔離材料103填充所述開口，并進行CMP停止于硬掩膜層102上，再去除硬掩膜層102，形成淺溝槽隔離結(jié)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。