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技術(shù)編號：12788170

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多柵極隧道場效應(yīng)晶體管(TFET)公開領(lǐng)域本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件和納米技術(shù)領(lǐng)域。更具體而言，本發(fā)明涉及隧道場效應(yīng)晶體管(TFET)，其中該隧道效應(yīng)是基于帶到帶隧穿的。公開背景納米電子器件一般作為集成電路被制造在半導(dǎo)體基板上?；パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)場效應(yīng)晶體管是集成電路的核心元件中的一種。CMOS晶體管的尺寸和操作電壓不斷地被減小或等比例減小，以獲得集成電路越來越高的性能和封裝密度。由于CMOS晶體管的按比例減小所引起的一個問題在于功耗不斷提高。這部分是因為泄漏電流在增加(例如，歸因于短溝...
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