技術(shù)編號(hào)：12788211
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子領(lǐng)域，特別涉及一種透明電極異面型光導(dǎo)開關(guān)，可用于高速大功率脈沖系統(tǒng)中的開關(guān)。技術(shù)背景1974年由貝爾實(shí)驗(yàn)室的D.H.Auston制備了世界上第一只硅基的光導(dǎo)開關(guān)，但是由于硅材料的局限性，并不能得到高性能的開關(guān)；1976年有馬里蘭大學(xué)的H.L.Chi制備了第一個(gè)GaAs光導(dǎo)開關(guān)，其性能遠(yuǎn)優(yōu)于硅基的光導(dǎo)開關(guān)，因此在后來(lái)數(shù)十年內(nèi)，砷化鎵的光導(dǎo)開關(guān)得到了較為成熟的研究。但由于砷化鎵光導(dǎo)開關(guān)獨(dú)特的Lock-on效應(yīng)，限制了其在更廣范圍內(nèi)的應(yīng)用。隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅材料的成熟，由于它的寬帶...
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