技術(shù)編號:12806889
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種消除輕摻退火硅片表面COP的方法,屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)硅片是現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路的主要襯底材料,一般是通過拉晶、切片、磨片、腐蝕、退火、拋光、清洗等工藝過程做成的集成電路級半導(dǎo)體硅片。其中,硅片退火的研究已開展多年,其中硅片退火過程中的氣氛中加入氫氣的研究近年來也深入進(jìn)行,直拉硅拋光片的表面質(zhì)量和氧沉淀對集成電路成品率的影響很大。無論在硅片生產(chǎn)還是在集成電路制造中,硅片都要經(jīng)過高溫退火。因此,高溫退火對硅片表面質(zhì)量和氧沉淀影響的研究顯得十分重要。在硅片生產(chǎn)工廠中產(chǎn)品表面晶...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。