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一種消除輕摻退火硅片表面COP的方法與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:12806889

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本發(fā)明涉及一種消除輕摻退火硅片表面COP的方法,屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)硅片是現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路的主要襯底材料,一般是通過拉晶、切片、磨片、腐蝕、退火、拋光、清洗等工藝過程做成的集成電路級半導(dǎo)體硅片。其中,硅片退火的研究已開展多年,其中硅片退火過程中的氣氛中加入氫氣的研究近年來也深入進(jìn)行,直拉硅拋光片的表面質(zhì)量和氧沉淀對集成電路成品率的影響很大。無論在硅片生產(chǎn)還是在集成電路制造中,硅片都要經(jīng)過高溫退火。因此,高溫退火對硅片表面質(zhì)量和氧沉淀影響的研究顯得十分重要。在硅片生產(chǎn)工廠中產(chǎn)品表面晶...
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