技術(shù)編號:12807153
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于硅半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種聯(lián)柵晶體管,具體涉及一種沒有多晶硅發(fā)射極的聯(lián)柵晶體管。背景技術(shù)1979年HisaoKondo提出了聯(lián)柵晶體管GAT(GateAssociatedTransistor),隨后進行了詳細的分析(見IEEETrans.ElectronDevice,vol.ED-27,PP.373-379.1980)。1994年,陳福元、金文新、吳忠龍對聯(lián)柵晶體管GAT作了進一步的分析(見《電力電子技術(shù)》1994年第4期1994.11.pp52-55),指出了聯(lián)柵晶體管器件呈現(xiàn)出...
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