技術(shù)編號：12817421
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于磁控濺射靶片制備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種貧鈾磁控濺射靶片的制備方法。背景技術(shù)在低能物理散射試驗中經(jīng)常將金屬鈾膜作為靶或源，研究鈾膜與基底界面的相互作用，試驗對鈾膜厚度的一致性、鈾膜表面粗糙度有極高的要求。由于貧鈾具有表面瞬間氧化、各向異性等特性，傳統(tǒng)的制備方法難以滿足要求，目前廣泛采用磁控濺射方法制備貧鈾金屬薄膜。作為磁控濺射貧鈾金屬薄膜過程中的基本耗材，貧鈾濺射靶材的好壞對鈾薄膜的性能起著至關(guān)重要的決定作用，因此，亟需研制一種貧鈾磁控濺射靶片的制備方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是...
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