技術編號：12817446
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及導電材料領域，具體涉及一種采用沉積法在硅基底上制備氧化鈦薄膜的方法。背景技術透明導電薄膜是一種兼?zhèn)涓邔щ娂翱梢姽獠ǘ胃咄该魈匦缘幕A光電材料，廣泛應用于顯示器、發(fā)光器件、太陽能電池、傳感器、柔性觸摸屏等光電顯示領域，具有廣泛的商業(yè)應用前景。染料敏化太陽能電池由光陽極、染料、電解質和對電極四部分組成。其中，光陽極和對電極的基底材料都是透明導電玻璃。目前，常用的透明導電層主要為氧化銦錫（ITO）和氟摻雜的氧化錫（FTO）。FTO是最早實現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)的透明導電薄膜，制備工藝簡單、成熟，但是與...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。