技術編號：12820706
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及LED芯片的制作工藝領域，特別涉及一種LED倒裝芯片的制備方法。背景技術作為節(jié)能領域的支柱產業(yè)，LED行業(yè)從發(fā)展之初就受到政府的大力扶持。隨著投資LED行業(yè)產能的不斷增加，LED芯片的需求呈現(xiàn)出飽和趨勢，導致市場對處于LED行業(yè)上游領域芯片成本要求越來越高。為了適應市場的需求，高良率、低成本、高光效成為LED芯片研發(fā)的重點。傳統(tǒng)的藍寶石襯底GaN芯片結構，P、N電極剛好位于芯片的出光面，在這種結構中，小部分p-GaN層和“發(fā)光”層被刻蝕，以便與下面的n-GaN層形成電接觸；光從最上面的...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。