技術(shù)編號(hào):12820715
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于低功耗相變存儲(chǔ)器的GeTe/Bi2Te3超晶格結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)介質(zhì)。技術(shù)背景相變存儲(chǔ)器技術(shù)是基于Ovshinsky在20世紀(jì)60年代末70年代初提出的相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲(chǔ)介質(zhì)的構(gòu)想建立起來(lái)的,是一種價(jià)格便宜、性能穩(wěn)定的存儲(chǔ)器件。相變存儲(chǔ)器可以做在硅晶片襯底上,其關(guān)鍵材料是可記錄的相變薄膜、加熱電極材料、絕熱材料和引出電極材料等。相變存儲(chǔ)器的基本原理是利用電脈沖信號(hào)作用于器件單元上,使相變材料在非晶態(tài)與多晶態(tài)之間發(fā)生可逆相變,通過(guò)分辨非晶態(tài)時(shí)的高阻與多晶態(tài)時(shí)的低阻,可以實(shí)現(xiàn)信息的寫...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。