技術編號：12830135
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種電感耦合等離子處理器的上蓋環(huán)。背景技術等離子處理器被廣泛應用在半導體工業(yè)內(nèi)，用來對待處理基片進行高精度的加工如等離子刻蝕、化學氣相沉積（CVD）等。其中部分等離子處理工藝需要高濃度的等離子體，比如硅刻蝕工藝典型的如深孔硅刻蝕（TSV），因為需要刻蝕的通孔深度需要100um以上，所以只有高濃度的等離子處理腔才能達到具有經(jīng)濟價值的刻蝕速率（大于1um/s），而電感耦合等離子處理器就具有等離子濃度高的優(yōu)勢，所以被廣泛應用。如圖1為電感耦合等離子處理器的典型結構...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。
該類技術注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學習。