技術(shù)編號：12864820
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于負(fù)離子的中性束注入器本申請是于2015年5月4日提交的已進(jìn)入中國國家階段的PCT專利申請(中國國家申請?zhí)枮?01380057640.X，國際申請?zhí)枮镻CT/US2013/058093，發(fā)明名稱“基于負(fù)離子的中性束注入器”)的分案申請。技術(shù)領(lǐng)域本文中公開的主題大體涉及中性束注入器，并且更具體地涉及基于負(fù)離子的中性束注入器。背景技術(shù)直至目前，在磁核聚變研究、材料加工、蝕刻、殺菌和其它應(yīng)用中使用的中性束均由正離子形成。通過靜電場從氣體放電等離子提取和加速正氫同位素離子。在加速器的地平面之后，它們進(jìn)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。