技術(shù)編號：12888619
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。包括初級和二級電晶體的存儲單元本發(fā)明的領(lǐng)域本發(fā)明是一種半導(dǎo)體記憶體技術(shù)，具體而言，本發(fā)明是一種半導(dǎo)體記憶體件，其中包括一個電浮體電晶體和一個存取電晶體。本發(fā)明的背景半導(dǎo)體記憶體器件被廣泛用于存儲數(shù)據(jù)。根據(jù)其特性，可將記憶體件分成兩種一般類型，這兩種類型分別為易失性記憶體和非易失性記憶體。易失性記憶體器，例如：靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)和動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)，在無電源持續(xù)供應(yīng)的情況下會丟失數(shù)據(jù)?；陔姼◇w效應(yīng)的DRAM已被提出(實例請參閱2002年2月，編號2第23卷的IEEE電子器...
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