技術(shù)編號(hào)：12888622
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種篩除閃存單元中早期失效的方法。背景技術(shù)閃存的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu)稱為閃存單元(bit)。閃存單元的結(jié)構(gòu)與常規(guī)MOS晶體管不同：常規(guī)的MOS晶體管的柵極(gate)和導(dǎo)電溝道間由柵極絕緣層隔開，一般為氧化層；而閃存在控制柵(CG：controlgate，相當(dāng)于常規(guī)的MOS晶體管的柵極)與導(dǎo)電溝道間還具有浮柵(FG：floatinggate)。由于浮柵的存在，使閃存可以完成三種基本操作模式：即讀寫、編程、擦除。即便在沒有電源供給的情況下，浮柵的存在可以保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的...
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