技術(shù)編號(hào)：12900957
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及原子層沉積技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種二硫化鉬薄膜的制備方法。背景技術(shù)近年來，作為一種層狀過渡金屬硫化物的二硫化鉬(MoS2)，由于具有優(yōu)異的機(jī)械、電學(xué)、光學(xué)和催化性能而引起了廣泛的關(guān)注，其在加氫脫硫催化、光伏電池、光催化、納米摩擦、鋰電池和干潤滑等領(lǐng)域引起了一股研究熱潮。二硫化鉬常見的結(jié)構(gòu)形式有三種：1T形、2H形、3R形。天然的2H-MoS2晶體是典型的層狀結(jié)構(gòu)，分子層之間的距離為1.23nm，每一個(gè)分子層的厚度為0.625nm。每一個(gè)二硫化鉬分子層又分為3個(gè)原子層，中間一層為鉬原子，上...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。