技術(shù)編號：12907201
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種存儲器件及其操作方法。背景技術(shù)如圖1所示，在現(xiàn)有的存儲器件結(jié)構(gòu)中，多個(gè)隔離晶體管連接在高壓譯碼器10’和低壓譯碼器20’之間，當(dāng)高壓譯碼器10’輸出電壓，存儲器件中的閃存結(jié)構(gòu)30’被編程時(shí)，第一隔離晶體管41’和第二隔離晶體管42’均關(guān)斷，由于第三隔離晶體管43’和第二隔離晶體管42’共用一個(gè)控制線，因此也被關(guān)斷。第二隔離晶體管42’的控制柵施加2V電壓，浮柵施加0V，使閃存結(jié)構(gòu)30’的編程有效，第二隔離晶體管42’的漏極端連接高壓譯碼器，因此有5V電壓，而...
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