技術(shù)編號(hào):12910262
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種退火系統(tǒng)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體襯底表面及半導(dǎo)體元器件表面通常存在大量懸掛鍵,這些懸掛鍵的存在會(huì)極大地影響襯底進(jìn)而影響半導(dǎo)體器件的性能。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造工藝中,通常采用氫原子來(lái)中和這些懸掛鍵,以減少襯底表面及元器件表面的缺陷,提高半導(dǎo)體器件的性能。通常,采用以下方式完成這一步驟:將半導(dǎo)體襯底或者半導(dǎo)體元器件置于退火爐中,向退火爐中通入一定比例的氫氣和氮?dú)獾幕旌蠚?,并通過(guò)加熱方式使半導(dǎo)體襯底或者半導(dǎo)體元器件在一定溫度下保持一定時(shí)間,以完成氫原子中和懸掛鍵的步驟,通...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。