技術編號：12916739
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及離子摻雜技術領域，具體涉及一種離子注入設備和離子注入方法。背景技術低溫多晶硅薄膜晶體管(LowTemperaturePolycrystallineSiliconThinFilmTransistor,LTPS-TFT)具有高載流子遷移率與高輸出電流等特性，常用于高分辨率顯示器上。在LTPS-TFT的制程工藝中，有源層需要進行離子摻雜以形成摻雜區(qū)域。由于離子運動具有多向性，因此需要借助光刻膠工藝遮擋非摻雜區(qū)，才能將離子精確的注入到預定的摻雜區(qū)。但是，光刻膠工藝需要涂布光阻、曝光、光阻刻蝕以...
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