技術(shù)編號：12916753
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種減少銅膜厚度的方法。背景技術(shù)基于硅片貫穿孔(TSV)技術(shù)的三維方向堆疊的集成電路封裝技術(shù)(3DIC)是目前最新的封裝技術(shù)，具有最小的尺寸和質(zhì)量，有效的降低寄生效應(yīng)，改善芯片速度和降低功耗等優(yōu)點。TSV技術(shù)是通過在芯片和芯片之間制作垂直導(dǎo)通，實現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)，作為引線鍵合的一種替代技術(shù)，形成穿透硅圓片的通孔結(jié)構(gòu)可以大大縮短互連的距離，從而消除了芯片疊層在數(shù)量上的限制，使得芯片的三維疊層能在更廣的領(lǐng)域中得到應(yīng)用。現(xiàn)有的硅通孔使用金屬銅作為金屬層，銅金屬...
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