技術(shù)編號(hào):12931726
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多晶硅還原尾氣的冷凝方法和一種多晶硅還原尾氣的冷凝系統(tǒng)。背景技術(shù)多晶硅是太陽(yáng)能光伏行業(yè)的基礎(chǔ)材料。目前,多晶硅生產(chǎn)主要采用改良西門(mén)子法(即三氯氫硅還原法),指的是利用氣相沉積法在還原爐中通過(guò)H2來(lái)還原SiHCl3從而制備多晶硅,具體反應(yīng)方程式為:3SiHCl3+H2→2Si+5HCl+SiCl4由于還原爐中的溫度等條件很難達(dá)到均一,導(dǎo)致實(shí)際的還原過(guò)程十分復(fù)雜,并伴隨副反應(yīng)發(fā)生,這樣就使得還原尾氣中的成分較為復(fù)雜,主要包括H2、HCl氣體和氣相氯硅烷等,其...
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