技術(shù)編號(hào):1338307
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于剝離、溶解厚膜光致抗蝕劑圖案的。本發(fā)明特別適用于形成IC或LSI等的凸點(diǎn)(bump)。背景技術(shù) 近年來(lái)隨著IC或LSI等半導(dǎo)體元件的高集成化或芯片尺寸的縮小化,要求金屬布線的細(xì)微化,以及作為連接端子的高度為20μm或20μm以上的凸點(diǎn)(微小凸點(diǎn)電極)能高精度地配置在基板上,今后,為適應(yīng)芯片尺寸進(jìn)一步縮小化的要求,要求必須進(jìn)一步提高金屬布線或凸點(diǎn)的高精度化。凸點(diǎn)的形成方法,例如如下進(jìn)行,在基板上形成金屬薄膜,在該金屬薄膜上利用光刻技術(shù)形成厚膜的...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。