技術(shù)編號(hào):1398308
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù) 電子晶片的生產(chǎn)過程包括在化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)過程之中或之后用液體溶液清洗半導(dǎo)體工件的步驟?!鞍雽?dǎo)體工件”是一種尚未完工的微電子器件,一般是一種硅晶片表面或其中形成有活性區(qū)域的硅晶片。用多層金屬,一般是已沉積于硅基材上的銅或鎢使活性區(qū)域連接起來。當(dāng)用銅作為互連材料時(shí),采用金屬鑲嵌法,從而使銅沉積到蝕刻于夾層間電介質(zhì)中的線內(nèi),然后用CMP法除去過量銅并進(jìn)行表面平面化處理,之后是清洗步驟。清洗過程(“CMP后清洗“)的目標(biāo)是在不會(huì)顯著刻蝕金屬、不在...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。