技術(shù)編號:1402680
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種由MOS晶體管進行開關(guān)的電容器陣列。背景技術(shù) 根據(jù)WO 2001/076067此種開關(guān)電容器陣列是公知的。電容器陣列取代了調(diào)幅無線電接收機的變?nèi)荻O管(varactor diode)。集成射頻級包括開關(guān)電容器。最適合實現(xiàn)開關(guān)功能的器件是金屬氧化物半導體場效應晶體管,簡寫為MOSFET、MOST或MOS晶體管。作為開關(guān),MOS晶體管包括導通電阻和截止電容。MOS晶體管的截止電容影響陣列的總電容。陣列的串聯(lián)電阻作為電容的函數(shù)而增大和減小。發(fā)明內(nèi)容...
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