技術(shù)編號(hào):1506584
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制程中的化學(xué)機(jī)械拋光工藝,具體地,涉及。背景技術(shù)在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域,晶圓的制造過(guò)程涉及薄膜的淀積和生長(zhǎng)工藝,以及之后形成器件和器件內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)所需的多次圖形制作。越來(lái)越多的IC制作需要6層或更多層的金屬布線層,每層之間由層間介質(zhì)隔開(kāi)。建立器件結(jié)構(gòu)和多層內(nèi)連線會(huì)很自然地在層與層之間形成臺(tái)階。層數(shù)增加時(shí),晶圓的表面起伏將更加顯著。對(duì)于芯片的成品率及長(zhǎng)期可靠性而言,一個(gè)可接受的平面度是極為重要的。因此需對(duì)被加工晶圓進(jìn)行平坦化處理,使晶圓具有平滑的表...
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