技術(shù)編號(hào)：1550910
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于在化學(xué)機(jī)械拋光和平坦化之后清洗銅和低介電常數(shù) (低k)表面的堿性化學(xué)物質(zhì)。背景技術(shù)化學(xué)機(jī)械拋光或平坦化(CMP)是一種用于半導(dǎo)體制備工藝的技術(shù)， 其中半導(dǎo)體元件或基材的上表面被平坦化。半導(dǎo)體元件典型地是硅基晶片，其具有在晶片內(nèi)或晶片上形成的活性區(qū)域和由沿晶片蝕刻線沉積以連接活 性區(qū)域的金屬(典型地是銅或鵠)形成的互連線。CMP工藝適用于去除已 沉積在半導(dǎo)體元件上的過(guò)量的銅以使表面平坦化。CMP工藝典型地包括在 可控條件下使半導(dǎo)體基材面對(duì)潤(rùn)濕的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。