技術(shù)編號(hào)：1556347
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及集成電路工藝領(lǐng)域，具體涉及一種去除半導(dǎo)體制程中氟 殘留的方法。背景技術(shù)在半導(dǎo)體的蝕刻工藝中會(huì)用到一些含氟的氣體。含氟氣體電離成F， F與晶片上的材質(zhì)發(fā)生反應(yīng)達(dá)到蝕刻的作用。但是，部分F-會(huì)吸附到晶 片上，并通過晶片擴(kuò)散到晶片接觸的各個(gè)機(jī)器部件中。下面以晶盒為例具體描述氟殘留的形成。在半導(dǎo)體制程中，為了達(dá) 到高度局部清潔化和降低凈化室的運(yùn)營(yíng)成本，普通需要利用 一種晶盒 (Pod)來保存和運(yùn)輸晶片等被處理體。通常，晶片在完成一道制程步 驟后即被裝進(jìn)晶...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。