技術(shù)編號：1948789
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及通過激光照射的局部加熱和緊隨加熱的冷卻以及利用第 二次激光照射再加熱，來分割。此處所謂的脆性材料基板，指的是玻璃基板、燒結(jié)材料的陶瓷、單 晶硅、半導體芯片、陶瓷基板等。背景技術(shù)目前期望一種幾乎不產(chǎn)生碎屑、能夠得到高質(zhì)量的分割面的玻璃基 板等脆性材料基板的分割方法。作為能夠?qū)崿F(xiàn)這種分割的分割方法，提 出有通過激光照射、制冷劑噴射、第二次激光照射的步驟分割基板的方 法(參照專利文獻l)。艮口，沿著待分割的基板的表面上的假想線(分割預定線)進行基于 第...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。