技術(shù)編號(hào):1948885
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制備碲化鉍(Bi2Te3)納米線陣列的方法,更特別地說,是指一 種采用物理氣相沉積法在玻璃基板上制備出碲化鉍納米線陣列的方法。 背景技術(shù)Rowe在其編著的《CRC Handbook of Thermoelectrics》(由CRC Pressl995 年出版) 一書中對(duì)熱電材料進(jìn)行了詳細(xì)的介紹。在目前所有熱電材料中,Bi2Te3系半 導(dǎo)體材料分別是目前公認(rèn)最好的室溫、中溫區(qū)熱電材料,它們已是當(dāng)前商用熱電器件 的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。目前世界的最高水平是R...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。