技術(shù)編號：1969520
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，特別涉及一種。 背景技術(shù)近年來，RRAM由于其具有結(jié)構(gòu)簡單以及與現(xiàn)代半導(dǎo)體CMOS工藝匹配性優(yōu)異等特點(diǎn)，逐漸成為了新一代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的研究熱點(diǎn)。在RRAM材料的研究過程中，人們逐漸發(fā)現(xiàn)了多種材料體系具有作為RRAM的應(yīng)用潛力，主要包括稀土錳氧化硅材料、過度金屬鈣鈦礦型結(jié)構(gòu)材料、二元過渡金屬氧化硅材料、有機(jī)高分子半導(dǎo)體材料以及一些硫化物材料等。目前，二元過渡金屬氧化硅的研究主要有NiO、TiOx, CuxO, Cu-MoOx, ZnO, ...
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