技術(shù)編號：1976428
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種反應(yīng)槽裝置，特別是涉及一種用于蝕刻設(shè)備的反應(yīng)槽裝置。 背景技術(shù)在電漿蝕刻制程中，上電極位于玻璃基板的上方，必須要有高電漿電阻，為達(dá)到此 目的，現(xiàn)有上電極板的制造方式，是對基板層進(jìn)行陽極處理，使其表面產(chǎn)生薄薄的一層陽極 膜，例如中國臺灣申請案號第88107375號專利案。但是因?yàn)殡姖{蝕刻制程中會存在著氟 (F2)、氯(Cl2)等活性腐蝕氣體，當(dāng)陽極膜遭受到電漿蝕刻制程中的腐蝕氣體腐蝕后，上電 極電阻會迅速的降低，容易致使上電極發(fā)生電弧現(xiàn)象，...
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