技術編號：1981325
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種無鉛導電性糊劑材料中的良好的低熔點玻璃組合物,所述糊劑材料尤其在形成晶體硅太陽能電池的電極中可獲得良好的電特性、并且與硅半導體基板的密合性良好。背景技術作為使用半導體硅基板的電子部件，已知有如圖I所示的太陽能電池元件。如圖I所示，太陽能電池元件在厚度為200 μ m左右的P型半導體硅基板I的光接收面?zhèn)刃纬搔切桶雽w硅層2，在光接收面?zhèn)缺砻嫘纬捎杏靡蕴岣吖饨邮招实牡枘さ瓤狗瓷淠?，進而在該抗反射膜3上形成有與半導體連接的表面電極4。另外，...
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