技術(shù)編號：1981509
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種加熱半導(dǎo)體的裝置。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造中使用于干法工藝和等離子體涂層等的半導(dǎo)體制造裝置中，作為蝕刻用和清洗用，使用的是反應(yīng)性高的F、Cl等的鹵素系等離子體。因此，安裝于這種半導(dǎo)體制造裝置的構(gòu)件要求有高耐腐蝕性，一般使用實(shí)施過氧化鋁膜處理的鋁或哈司特鎳合金等的高耐腐蝕金屬或陶瓷構(gòu)件。特別是支撐固定Si晶片的靜電卡盤材料和加熱器材料，由于必須有高耐腐蝕和低發(fā)塵性，使用的是氮化鋁、氧化鋁、藍(lán)寶石等的高耐腐蝕陶瓷構(gòu)件。由于這些材料會(huì)隨著長時(shí)間使用而逐...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。