一種低功耗晶體振蕩器整形電路的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種低功耗晶體振蕩器整形電路，第一PMOS管、第三PMOS管、第一NOMS管、第三NOMS管的柵極連接形成信號輸入端，第一PMOS管、第一NMOS管的漏極與第二PMOS管、第二NMOS管的柵極連接，第二PMOS管、第二NMOS管的漏極與第四PMOS管、第四NMOS管的柵極連接形成信號輸出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏極與第一POMS管的源極連接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏極與第一NMOS管的源極連接，第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源極連接形成電源端，第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源極連接形成電源地，第二PMOS管與第二NMOS管形成第一反向器。本實用新型將正弦波信號整形為上升沿和下降沿都非常陡的方波信號，不僅整形電路自身消耗的功率小，而且能夠減小后續(xù)時鐘信號使用電路的功耗。
【專利說明】一種低功耗晶體振蕩器整形電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種晶體振蕩器整形電路，特別涉及一種低功耗晶體振蕩器整形 電路。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體振蕩器以其頻率穩(wěn)定高被廣泛應(yīng)用于計時、時鐘信號產(chǎn)生等領(lǐng)域，根據(jù)晶體 的類型不同，它不僅可以做成單獨的晶體振蕩器產(chǎn)品應(yīng)用在硬件電路設(shè)計中用來得到各種 頻率的時鐘信號，也被嵌入在各種集成電路與微處理器中，用于產(chǎn)生該集成電路與微處理 器所需的時鐘信號，比如實時時鐘。晶體振蕩器由晶體和其驅(qū)動組成，正弦波晶體振蕩器 產(chǎn)生的波形需要一個整形電路將正弦波整形為方波給后續(xù)電路應(yīng)用，低功耗產(chǎn)品是應(yīng)用的 追求，人們希望時鐘信號產(chǎn)生電路部分消耗的功耗越小越好，因此不僅要求整形電路自身 消耗的功耗小，而且還要能減小后續(xù)時鐘使用電路的功耗，甚至要求從時序的角度考慮以 盡量節(jié)省功耗?；パaCMOS反向器能夠?qū)⒄也ㄐ盘栒螢榉讲ㄐ盘?，但在整形過程中互補 CMOS反向器自身消耗的功率大,且給后續(xù)時鐘使用電路帶來較大的功耗。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種功耗低、結(jié)構(gòu)簡單的 晶體振蕩器整形電路。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案如下:一種低功耗晶體振蕩器整形 電路，包括多個PMOS管與多個NMOS管，其中第一 PMOS管、第三PMOS管、第一 NOMS管、第三 NOMS管的柵極連接形成信號輸入端，第一 PMOS管與第一 NMOS管的漏極連接，并且連至第二 PMOS管和第二 NMOS管的柵極，第二 PMOS管與第二 NMOS管的漏極連接，并且連至第四PMOS 管和第四NMOS管的柵極，形成信號輸出端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏極與第一POMS管 的源極連接，第三NMOS管、第四NMOS管的漏極與第一 NMOS管的源極連接，第二 PMOS管、第 三PMOS管、第四PMOS管的源極連接形成電源端，第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管 的源極連接形成電源地，第二 PMOS管與第二 NMOS管形成第一反向器。
[0005]上述的低功耗晶體振蕩器整形電路中，所述第一反向器為奇數(shù)個反向器的串聯(lián)。
[0006]上述的低功耗晶體振蕩器整形電路中，所述電源端為供電電源輸入端或為電源轉(zhuǎn) 換電路輸出端。
[0007]本實用新型能對晶體振蕩器產(chǎn)生的正弦波信號進行處理，將正弦波信號整形為上 升沿和下降沿都非常陡的方波信號，不僅整形電路自身消耗的功率小，而且能夠減小后續(xù) 時鐘信號使用電路的功耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型低功耗晶體振蕩器整形電路。
[0009]圖2為本實用新型低功耗晶體振蕩器整形電路對應(yīng)的符號。[0010]圖3為輸入端正弦波電壓曲線Vin與輸出端方波電壓曲線VTOT。
[0011]圖4為本實用新型中實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結(jié)合附圖對本實用新型進一步詳細說明。
[0013]如圖1、圖2所示，低功耗晶體振蕩器整形電路包括多個PMOS管與多個NMOS管，其中第一 PMOS管1、第三PMOS管5、第一 NOMS管2、第三NOMS管6的柵極連接形成信號輸入端IN，第一 PMOS管I與第一 NOMS管2的漏極連接，并且連至第二 PMOS管3與第二 NMOS管4的柵極，形成節(jié)點X，第二 PMOS管3與第二 NMOS管4的漏極連接，并且連至第四PMOS管7、第四NMOS管8的柵極，形成信號輸出端0UT，第三PMOS管5、第四PMOS管7的漏極與第一 POMS管I的源極連接，第三NMOS管6、第四NMOS管8的漏極與第一 NMOS管2的源極連接，第二 PMOS管3、第三PMOS管5、第四PMOS管7的源極連接形成電源輸入端VP，第二NMOS管4、第三NMOS管6、第四NMOS管8的源極連接形成電源地GND，第二 PMOS管3與第二 NMOS管4形成反向器INVl。
[0014]對圖1所示電路進行工作原理分析，圖3所示正弦輸入信號Vin從輸入端IN進入，當(dāng)輸入端IN從O電位開始上升時，第一 PMOS管1、第三POMS管5開啟，第一 NMOS管2、第三NMOS管6關(guān)閉，節(jié)點X電位為電源電壓VDD，使第二 PMOS管3關(guān)閉、第二 NMOS管4開啟，輸出端OUT電位為0，第四PMOS管7開啟、第四NMOS管8關(guān)閉，這里，PMOS管的閾值電壓用Vtp表示，NMOS管的閾值電壓用Vtn表示，輸入端IN電位從O附近上升至Vtn前，這些器件保持該狀態(tài)；輸入端IN電位上升并超過Vtn時，使第一 NMOS管2、第三NMOS管6開啟，這時節(jié)點X的電位Vx由(I)式表示。
【權(quán)利要求】
1.一種低功耗晶體振蕩器整形電路，其特征在于:包括多個PMOS管與多個NMOS管，其 中第一 PMOS管、第三PMOS管、第一 NOMS管、第三NOMS管的柵極連接形成信號輸入端，第一 PMOS管與第一 NMOS管的漏極連接，并且連至第二 PMOS管和第二 NMOS管的柵極，第二 PMOS 管與第二 NMOS管的漏極連接，并且連至第四PMOS管和第四NMOS管的柵極，形成信號輸出 端，第三PMOS管、第四PMOS管的漏極與第一 POMS管的源極連接，第三NMOS管、第四NMOS 管的漏極與第一 NMOS管的源極連接，第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源極連接 形成電源端，第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管的源極連接形成電源地，第二 PMOS管 與第二 NMOS管形成第一反向器。
2.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗晶體振蕩器整形電路，其特征在于:所述第一反向 器為奇數(shù)個反向器的串聯(lián)。
3.如權(quán)利要求1所述的一種低功耗晶體振蕩器整形電路，其特征在于:所述電源端為 供電電源輸入端或為電源轉(zhuǎn)換電路輸出端。
【文檔編號】H03B28/00GK203457106SQ201320585908
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年9月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月23日
【發(fā)明者】張文杰, 謝亮, 金湘亮 申請人:湘潭芯力特電子科技有限公司