技術(shù)編號(hào)：2612698
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的屬于由多個(gè)薄膜晶體管(以下稱TFT)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管和雙極型晶體管等晶體管構(gòu)成的晶體管電路，特別屬于由具備驅(qū)動(dòng)用晶體管而構(gòu)成的晶體管電路，該驅(qū)動(dòng)用晶體管根據(jù)供給柵極上的電壓來控制源漏間的電導(dǎo)，并由此控制經(jīng)該源極和漏極供給電流控制型(電流驅(qū)動(dòng)型)元件等的被驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)電流。背景技術(shù) 一般來說，晶體管的電壓電流特性和閾值都會(huì)因半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)、膜厚、雜質(zhì)濃度、擴(kuò)散區(qū)域和柵絕緣膜的膜質(zhì)、膜厚、工作溫度等各種條件的不同而或多或少地產(chǎn)生離散。對(duì)于使用了單晶硅的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。