1.一種溝槽型肖特基二極管，包括從下至上依次層疊設(shè)置的金屬化陰極(1)、第一種導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底(2)、漂移區(qū)(3)和金屬化陽極(10)；所述漂移區(qū)(3)包括第一深槽(4)和第二深槽(5)，所述第二深槽(5)位于兩側(cè)的第一深槽(4)之間；所述第二深槽(5)中填充有多晶硅(7)，所述多晶硅(7)與第二深槽(5)側(cè)壁之間具有薄氧化層(63)，多晶硅(7)和薄氧化層(63)的底部之間具有第一厚氧化層(62)，所述多晶硅(7)與金屬化陽極(10)、薄氧化層(63)和第一厚氧化層(62)接觸；所述第一深槽(4)的下端具有第二厚氧化層(61)，第一深槽(4)中還填充有肖特基金屬(9)，所述肖特基金屬(9)的下表面與第二厚氧化層(61)，肖特基金屬(9)的上表面與金屬化陽極(10)接觸，且肖特基金屬(9)的上層沿漂移區(qū)(3)的上表面向水平方向左右延伸至第二深槽(5)的邊緣；所述第一深槽(4)與肖特基金屬(9)相連的外側(cè)壁及肖特基金屬(9)的下表面具有第一種導(dǎo)電類型半導(dǎo)體輕摻雜區(qū)(8)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種溝槽型肖特基二極管，所述第一深槽(4)和第二深槽(5)的深度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種溝槽型肖特基二極管，所述第一深槽(4)和第二深槽(5)的底部沿垂直方向向下延伸至于第一種導(dǎo)電類型半導(dǎo)體襯底(2)接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種溝槽型肖特基二極管，所述第一種導(dǎo)電類型是N型而所述第二種導(dǎo)電類型是P型，或者所述第一種導(dǎo)電類型是P型而第二種導(dǎo)電類型的N型。