技術(shù)編號(hào)：2682550
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具備薄膜晶體管的。背景技術(shù)在用于液晶顯示裝置等的有源矩陣基板中，按每個(gè)像素具備薄膜晶體管(ThinFilm Transistor ;下記為“TFT”)等的開(kāi)關(guān)元件。作為這種開(kāi)關(guān)元件，歷來(lái)廣泛使用有以非晶硅膜為活性層的TFT (下記為“非晶硅TFT”)和以多晶硅膜為活性層的TFT (下記為“多晶硅TFT”)。近年來(lái)，作為TFT的活性層的材料，提案有使用氧化物半導(dǎo)體來(lái)代替非晶硅或多晶硅(專利文獻(xiàn)I和2、非專利文獻(xiàn)I 3等)。這樣的TFT稱作“氧化物半...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。