技術(shù)編號(hào):2684124
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種單模光纖,該光纖包括一個(gè)半徑為r1,最大折射率值為n1的第一中心區(qū)和至少一個(gè)包圍所述第一中心區(qū)的第二環(huán),其中第二環(huán)的半徑為r2,最小折射率值為n2,且n2<n1。 背景技術(shù) 可從美國(guó)專利No.5,905,838中獲知這種單模光纖自身,其中特別是圖4簡(jiǎn)化表示用于四區(qū)域光纖的徑向位置函數(shù)的歸一化折射率差。因此參雜有鍺的硅石芯被一折射率較小的環(huán)形區(qū)包圍,在此情況下,該環(huán)形區(qū)由參雜氟的硅石組成。該區(qū)域周?chē)且粋€(gè)德國(guó)硅石(germano-silica)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。