技術(shù)編號(hào)：2687811
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造光刻領(lǐng)域，尤其涉及一種基于空間光調(diào)制器的無掩膜曝光系統(tǒng)。背景技術(shù)光刻是半導(dǎo)體制造行業(yè)最關(guān)鍵的技術(shù)之一，其曝光技術(shù)可分為傳統(tǒng)光學(xué)曝光、電子束曝光、離子束曝光和X射線曝光等。其中，傳統(tǒng)光學(xué)曝光技術(shù)中的接觸式曝光可以獲得較高的分辨率，但掩膜版和晶片之間重復(fù)接觸的結(jié)果是在掩膜版上產(chǎn)生缺陷，這些缺陷將被重復(fù)復(fù)印到晶片上，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率下降；接近式曝光雖然避免了接觸式曝光中產(chǎn)生的缺陷問題，但由于間隙的增大卻帶來了分辨率的急劇下降；投影式曝光利用光學(xué)...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。