技術編號：2688650
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制程，尤其涉及。背景技術在掩膜版給定的情況下，光刻模塊經(jīng)常利用調(diào)節(jié)曝光能量的方式來保證臨界尺寸達到預期水準，但是當掩膜版的臨界尺寸和實際生產(chǎn)所需的臨界尺寸相差過大時，過度調(diào)節(jié)曝光能量往往會導致曝光不足，這會導致顯影后會存在光刻膠殘留，并且在隨后的蝕刻過程中導致曝光區(qū)域的蝕刻缺陷。 例如掩膜版的臨界尺寸給定為0. 48um，為了滿足生產(chǎn)需求，調(diào)節(jié)曝光能量使顯影后檢測的臨界尺寸為0. 52um時，曝光不足會導致顯影后的晶圓整面出現(xiàn)光刻膠殘留現(xiàn)象...
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