技術(shù)編號：2702961
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明提供了EUV光掩模和用于形成EUV光掩模的方法的實施例。該方法包括提供襯底、反射層、覆蓋層、硬掩模層，以及在其中形成開口。然后，在開口中和硬掩模層的頂面上方填充吸收層。提供平坦化工藝以去除位于硬掩模層的頂面上方的吸收層且在開口中形成吸收體，其中，吸收體頂部的寬度大于其底部的寬度。專利說明極紫外光(EUV)光掩模及其制造方法[0001]相關(guān)申請的交叉引用[0002]本申請要求于2013年3月15日提交的美國臨時專利申請第61/788，014號、標題為“...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。