技術編號：2711826
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及顯示，特別涉及一種像素分隔墻的制作方法、陣列基板、以及AMECD，用以解決目前像素分隔墻會與像素電極部分交疊，使得像素開口率變小的問題。本發(fā)明實施例的像素分隔墻制作方法包括在襯底基板上依次沉積導電膜層和固體介質(zhì)層；采用同一掩膜版，先對固體介質(zhì)層進行刻蝕處理以形成固體部件，再對導電膜層進行刻蝕處理以形成與固體部件完全重合的像素電極；在形成有固體部件的基板表面上旋涂混合液；在像素電極上施加第一直流電壓信號，在混合液中施加第二直流電壓信號，且第一直流電...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。