技術(shù)編號(hào):2724620
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種去除有機(jī)物覆膜的方法,特別涉及一種去除半導(dǎo)體光掩模光刻膠的方法,屬于半導(dǎo)體清洗。背景技術(shù)“光掩模”是集成電路芯片制造中用于批量印刷電路的模版。通過光刻工藝,將光掩模上的電路圖案大批量印刷到硅晶圓上。因此光掩模上的任何缺陷都會(huì)對(duì)芯片的成品率造成很大的影響。在傳統(tǒng)光掩模生產(chǎn)流程中清洗工藝用SPM,即98%的硫酸和30%的過氧化氫的混合物,SPM能將光掩模上的光刻膠氧化為水和二氧化碳,這個(gè)流程可以去除部分硫酸根,但是存在以下的缺陷(1)殘留的硫酸根...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。