技術(shù)編號(hào):2726815
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用化學(xué)放大型抗蝕劑組合物的形成圖案的方法,以提供改進(jìn)的線邊 緣粗糙度(LER)和高的分辨率。背景技術(shù)目前的許多努力被付諸于獲得更精細(xì)的圖案規(guī)格,從而實(shí)現(xiàn)更高的集成化和提高 LSI裝置的運(yùn)行速度。使用KrF或者ArF準(zhǔn)分子激光器的深紫外光刻已經(jīng)成為微細(xì)加工技 術(shù)的主流。深紫外光刻與化學(xué)放大型抗蝕劑相結(jié)合,能夠形成圖案特征尺寸為0. 2 μ m或更 小,但是圖案形成過(guò)程的特征尺寸小于0.065μπι則已成為目的。同樣在電子束(EB)光刻 領(lǐng)域,化學(xué)...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。