技術(shù)編號(hào)：2740142
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于在半導(dǎo)體裝置的制造中使用的基板與抗蝕劑(例如，光致抗蝕齊U、電子束抗蝕劑)之間形成下層膜的組合物。具體而言，涉及在半導(dǎo)體裝置制造的光刻工序中用于形成光致抗蝕劑的下層所使用的下層膜的形成光刻用抗蝕劑下層膜的組合物。此夕卜，涉及使用該形成下層膜的組合物的抗蝕劑圖案的形成方法。形成抗蝕劑下層膜的組合物含有包含甲硅烷基作為氮原子上的取代基的聚合物，特別是包含以甲硅烷基異氰脲酸酯為代表的聚合物。背景技術(shù)一直以來(lái)，在半導(dǎo)體裝置的制造中，通過(guò)使用了光致抗蝕...
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