技術編號：2741459
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體光刻工藝領域，特別涉及一種。 背景技術目前，隨著半導體技術向小線寬、高集成度的發(fā)展，對光刻工藝也提出了更高的 要求。特別是尺寸減小到0. 18微米甚至90納米以下時，圖形的間距也越來越接近，光學 的干涉和衍射效應對鄰近圖形的影響使得在掩膜版上的圖形轉移到晶片上時，出現(xiàn)如線 端縮短(line-end shortening)、線端連結(line-end bridging)、線寬變異(line width variations)、線角圓化(lin...
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