技術(shù)編號(hào)：2751643
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造等中使用的EUV(Extreme Ultra Violet 極紫外)光刻用反射型掩模坯料(以下在本說(shuō)明書中稱為“EUV掩模坯料”)。背景技術(shù)以往，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，作為在Si襯底上形成由精細(xì)圖案形成的集成電路時(shí)所需要的精細(xì)圖案轉(zhuǎn)印技術(shù)，采用使用可見光、紫外光的光刻法。然而，半導(dǎo)體設(shè)備的精細(xì)化一直在加速，已逐漸接近現(xiàn)有的光刻法的極限。在為光刻法的情況下，圖案的圖像分辨極限是曝光波長(zhǎng)的1/2左右，即使使用液浸法，據(jù)說(shuō)也只能達(dá)到曝光波長(zhǎng)的1/4...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。