技術(shù)編號：2752741
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及圖案修正方法、曝光掩膜、曝光掩膜的制造方法和半導(dǎo)體器件的制造方法。背景技術(shù)通常，半導(dǎo)體集成電路器件具有多個晶體管作為組成元件。例如，在SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)的存儲單元(cell)中，使用許多在電路中組成一對的場效應(yīng)晶體管(以下，一對晶體管也稱為"成對的晶體管")。更具體地說，具有CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)構(gòu)造的單端口 (one-port) SRAM單元具有三種不同功能的成對的晶體管，比如驅(qū)動晶體管、轉(zhuǎn)移晶體管和負(fù)載器件。 在具有多個...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。