技術(shù)編號(hào)：2770418
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有超過了光刻技術(shù)極限的超精細(xì)圖形的半導(dǎo)體器件的制造方法及利用該制造方法制造的半導(dǎo)體器件。迄今，作為比利用曝光進(jìn)行的光刻技術(shù)更精細(xì)圖形的形成方法，有本發(fā)明者們?cè)忍岢龅纳暾?qǐng)即特開平10-73927號(hào)專利公報(bào)中公開的方法。在該方法中，如附圖說明圖10中的步驟11所示，在半導(dǎo)體襯底1上形成能生成酸的第一抗蝕劑圖形，其次將由于酸而引起交聯(lián)反應(yīng)的第二抗蝕劑涂敷在含有孔4的圖形3上，然后如步驟12所示，通過加熱處理和溶解，在第一抗蝕劑圖形3的側(cè)壁上形成交聯(lián)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。