技術(shù)編號(hào):2772507
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及應(yīng)用于超大規(guī)模集成電路(VLSI)設(shè)計(jì)制造中的光刻方法,更具體地是涉及形成相移掩模(Phase Shifted Mask)設(shè)計(jì)的改進(jìn)方法。背景技術(shù) 超大規(guī)模集成的互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)芯片通過(guò)一系列工藝步驟被制作在硅晶片上。該些工藝步驟包括通過(guò)利用低壓化學(xué)汽相沉積(LPCVD)、濺射操作等添加工序?qū)⒉牧咸砑拥骄?。其它步驟包括利用濕法蝕刻、反應(yīng)離子蝕刻(RIE)等工序從晶片上移除材料。此外,晶片可以通過(guò)例如氧化、離子注入和類似步驟的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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