技術編號：2775744
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及對暴露于高帶電粒子的表面的保護。本發(fā)明特別可用于在用于反射極遠紫外線(EUV)的光學系統(tǒng)中采用的多層反射鏡的保護中以及用于極遠紫外線穿過其透射到光刻腔的表面的保護中。光刻法是半導體器件制造中的重要加工步驟?？偟膩碚f，在光刻法中通過使圖案成像到沉積在晶片表面上的光致抗蝕劑層上來將電路設計轉移到晶片上。然后在新圖案被轉移到晶片表面之前使該晶片發(fā)生各種蝕刻和沉積加工。該循環(huán)過程繼續(xù)進行而制成半導體器件的多層結構。在用于制造半導體器件的平版印刷方法中，為...
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