技術(shù)編號：2777335
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及根據(jù)權(quán)利要求1的用于形成自組裝單層的化合物、權(quán)利要求11的層結(jié)構(gòu)、權(quán)利要求17的半導(dǎo)體組件和權(quán)利要求19的生產(chǎn)層結(jié)構(gòu)的方法?；谟袡C(jī)半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管(OFET)對于許多電子應(yīng)用是感興趣的。特別地，低制造成本，柔性或不可斷裂襯底或晶體管和集成電路在大活性區(qū)域上的生產(chǎn)與此是可能的。例如，有機(jī)場效應(yīng)晶體管適于作為有源矩陣屏中的象素控制元素或用于特別經(jīng)濟(jì)集成電路的生產(chǎn)，其例如用于產(chǎn)品和商品的有源標(biāo)記和識別。由于復(fù)合電路可以使用有機(jī)場效應(yīng)晶體管構(gòu)造，存...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲(chǔ)備，不適合論文引用。